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PSMN2R6-40YS,115  与  BSC027N04LS G  区别

型号 PSMN2R6-40YS,115 BSC027N04LS G
唯样编号 A-PSMN2R6-40YS,115 A-BSC027N04LS G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3mΩ
上升时间 - 5.6ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 131W 83W
Qg-栅极电荷 - 85nC
输出电容 948pF -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 70S
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 3776pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 2.8mΩ@25A,10V -
下降时间 - 6.2ns
典型接通延迟时间 - 9.8ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 95 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥8.5236
100+ :  ¥6.4573
1,000+ :  ¥5.2928
1,500+ :  ¥4.6025
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R6-40YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R6-40YS_SOT669 N-Channel 131W -55°C~175°C ±20V 40V 100A

¥8.5236 

阶梯数 价格
1: ¥8.5236
100: ¥6.4573
1,000: ¥5.2928
1,500: ¥4.6025
95 当前型号
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暂无价格 0 对比

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